- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384491 > IRF7379 (International Rectifier) Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF7379 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | IRF7379 |
IRF7379
www.irf.com
9
Package Outline
SO8 Outline
SO8
Part Marking Information
EXAMPLE : THIS IS AN IRF7101
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
W W = W EEK
W AFER
LOT CODE
(LAST 4 DIGITS)
XXXX
BOTTOM
PART NUMBER
TOP
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
F7101
312
K x 45°
C
8X
L
8X
θ
H
0.25 (.010) M A M
A
0.10 (.004)
B 8X
0.25 (.010) M C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8 7 6 5
1 2 3 4
5
6
5
RECOMMENDED FOOTPRINT
0.72 (.028 )
8X
1.78 (.070)
8X
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
3X
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
B .014 .018 0.36 0.46
C .0075 .0098 0.19 0.25
D .189 .196 4.80 4.98
E .150 .157 3.81 3.99
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ
0° 8° 0° 8°
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS (INCHES).
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
6
5
A1
e1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF737LC | HEXFET?? Power MOSFET |
| IRF7380QPBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7380 | High frequency DC-DC converters |
| IRF7389PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7402 | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7379HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7379IPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7379PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7379PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:2.5W |
| IRF7379QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。