參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7353D1
廠商： International Rectifier
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 170K
代理商： IRF7353D1
IRF7353D1
4
www.irf.com
Power Mosfet Characteristics
Fig 5.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
R
D
(
)
0.020
0.024
0.028
0.032
0.036
0.040
0
10
20
30
40
A
I , Drain Current (A)
V = 10V
V = 4.5V
R
D
(
)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0
3
6
9
12
15
A
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = 5.8A
Fig 8.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
300
600
900
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
5.8A
V
= 15V
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7353D2 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7379 Power MOSFET
IRF737LC HEXFET?? Power MOSFET
IRF7380QPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7380 High frequency DC-DC converters
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參數(shù)描述
IRF7353D1PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 32mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7353D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7353D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 6.5A 32mOhm 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7353D2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7353D2PBF 功能描述:MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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