參數(shù)資料
型號: IRF7343PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 231K
代理商: IRF7343PBF
6
www.irf.com
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
-3.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-3.0V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-3.0V
1
10
100
3
4
5
6
7
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
0.1
1
10
100
0.2
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRF7343QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7343QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRF7343QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7343TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R
IRF7343TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube