參數(shù)資料
型號: IRF7343IPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大?。?/td> 222K
代理商: IRF7343IPBF
www.irf.com
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SO-8 Package Outline
Dimensions are shown in milimeters (inches)
SO-8 Part Marking Information
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7353D1PBF FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode
IRF7379IPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7379QPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF737LCPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7343ITRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7343PBF 功能描述:MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7343QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7343QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRF7343QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube