參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7314Q
英文描述： -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
中文描述： - 20V的雙P溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： IRF7314Q
IRF730AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.5A
3.5A
5.5A
TOP
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
VD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7316S
IRF731FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB
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IRF7324 -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF732FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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