參數(shù)資料
型號: IRF730AS
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 5.5AI(四)|對263AB
文件頁數(shù): 9/10頁
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代理商: IRF730AS
IRF730AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
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TO-262 Outline
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相關PDF資料
PDF描述
IRF730ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB
IRF730ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB
IRF730CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | CHIP
IRF730FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220VAR
IRF7314Q -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF730AS/LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRF730ASLPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730ASTRL 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube