參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7304
廠商： International Rectifier
英文描述： Generation V Technology
中文描述： 一代V技術(shù)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 243K
代理商： IRF7304
130
IRF7304
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage
0
500
1000
1500
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
-
I = -2.2A
V = -16V
0.1
1
10
100
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
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IRF7304QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
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