參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7241PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： IRF7241PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.5A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
32
45
-1.2
48
68
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
25
2.5
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-40
–––
–––
0.03
–––
25
–––
45
-1.0
–––
8.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
53
–––
14
–––
3.9
–––
24
–––
280
–––
210
–––
100
––– 3220 –––
–––
160
–––
190
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
41
70
-3.0
–––
-10
-25
-100
100
80
21
5.9
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -6.2A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -5.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -6.2A
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -6.2A
V
DS
= -32V
V
GS
= -10V
V
DD
= -20V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= -10V
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0kHz
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Surface mounted on 1 in square Cu board
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7241 HEXFET Power MOSFET
IRF7304 Generation V Technology
IRF7306 HEXFET Power MOSFET
IRF7309 HEXFET Power MOSFET
IRF7313PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7241TR 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7241TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
IRF7241TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
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