參數(shù)資料
型號: IRF6775MTRPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述: 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大小: 240K
代理商: IRF6775MTRPBF
IRF6775MTRPbF
8
www.irf.com
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding PCB assembly using DirectFET. This
includes all recommendations for stencil and substrate designs.
!
MAX
0.250
0.201
0.156
0.018
0.028
0.028
0.038
0.026
0.013
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0.105
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0.007
MAX
0.246
0.189
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0.014
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0.025
0.011
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0.100
0.0235
0.0008
0.003
IMPERIAL
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
R
P
MAX
6.35
5.05
3.95
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0.72
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0.080
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MIN
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4.80
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1.13
2.53
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0.020
0.08
METRIC
DIMENSIONS
LOGO
PART NUMBER
GATE MARKING
BATCH NUMBER
DATE CODE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6785MTRPBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF7101PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7103IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7104PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7105QPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6785MTR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 15A 100mOhm 26nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6785MTRPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6794MPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
IRF6794MTR1PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6794MTRPBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube