| 型號(hào)： | IRF6668TR1 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| 產(chǎn)品變化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 55A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫歐 @ 12A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4.9V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1320pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | DirectFET? 等容 MZ |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | DIRECTFET? MZ |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |