參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6668
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 256K
代理商： IRF6668
4
www.irf.com
Fig 3.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Transfer Characteristics
Fig 5.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 6.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Total Gate Charge vs
Gate-to-Source Voltage
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
6.0V
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
6.0V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
TOP
BOTTOM
2
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
TD
ID = 12A
VGS = 10V
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 64V
VDS= 40V
ID= 12A
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