參數(shù)資料
型號: IRF6635TRPbF
廠商: International Rectifier
英文描述: DirectFET Power MOSFET
中文描述: DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 252K
代理商: IRF6635TRPBF
6
www.irf.com
Fig 15a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 15b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16b.
Unclamped Inductive Waveforms
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 16a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 17b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
Fig 17a.
Switching Time Test Circuit
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
1K
VCC
DUT
0
L
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IRF6636TRPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube