參數(shù)資料
型號： IRF6635
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： IRF6635
IRF6635
2
www.irf.com
e
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
g
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
45
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
24
1.3
1.8
1.8
-6.1
–––
–––
–––
–––
–––
47
12
4.7
17
13
22
29
1.0
21
13
33
8.3
5970
1280
600
Max. Units
–––
–––
1.8
2.4
2.35
–––
5.0
150
100
-100
–––
71
–––
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
See Fig. 15
nC
ns
pF
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
e
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
3.5
I
S
A
I
SM
–––
–––
250
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
20
48
1.0
30
72
V
ns
nC
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V, I
D
= 25A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 25A
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
I
D
= 25A
Clamped Inductive Load
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 500A/μs
g
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
g
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 32A
g
V
GS
= 4.5V, I
D
= 25A
g
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
MOSFET symbol
Conditions
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
g
V
DS
= 15V
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PDF描述
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IRF6635TR1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF6635TR1PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6635TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6635TRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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