參數(shù)資料
    

    


    


    
型號(hào)：
IRF6616

    

    
廠商：
International Rectifier

    

    
英文描述：
DirectFET Power MOSFET

    

    
中文描述：
DirectFET功率MOSFET

    

    
文件頁(yè)數(shù)：
7/9頁(yè)

    

    
文件大?。?/td>
274K

    

    
代理商：
IRF6616


    

    

    

	
    
    
    

    
    
	
    www.irf.com
    7
    Fig 18. 
    for N-Channel
    HEXFET Power MOSFETs
    P.W.
    Period
    di/dt
    Diode Recovery
    dv/dt
    Ripple 
    ≤
     5%
    Body Diode 
    Forward Drop
    Re-Applied
    Reverse
    Body Current
    V
    GS
    =10V
    V
    DD
    I
    SD
    Driver Gate Drive
    D.U.T. I
    SD
    Waveform
    D.U.T. V
    DS
    Waveform
    Inductor Curent
    D = 
    P.W.
    Period
        
       
       
      
      
     !"#""
      
      
    "#""& #
    $%%
    +
    -
    +
    +
    +
    -
    -
    -
     !"#$%%&'($)&
    ''$(%)
    G = GATE
    D = DRAIN
    S = SOURCE
    D
    D
    D
    D
    G
    S
    S
    
    
    
    
    
    


    


    

    相關(guān)PDF資料
    		

    PDF描述
    		

    
    

    
IRF6618PBF
DirectFET㈢Power MOSFET ㈢

    

    
IRF6618TRPBF
DirectFET㈢Power MOSFET ㈢

    

    
IRF6619
DirectFET Power MOSFET

    

    
IRF6623
HEXFET Power MOSFET

    

    
IRF6628PBF
DirectFET Power MOSFET

    

    

    

    


    


    

    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    		

    參數(shù)描述
    		

    
    

    
IRF6616TR1
功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

    

    
IRF6616TR1PBF
功能描述:MOSFET MOSFT 40V 106A 5.0mOhm 29nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

    

    
IRF6616TR1PBF
 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET

    

    
IRF6616TRPBF
功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

    

    
IRF6617
功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

    

    
    
    
    
	
    	
    
    
     
     
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    我的聯(lián)系方式
    
                     
                     
                       
    
                                
                                
                                
    
                                    
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