參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6612TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 200K
代理商： IRF6612TR1
www.irf.com
5
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Threshold Voltage vs. Temperature
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.2801 0.000322
8.7256 0.164798
21.750 2.25760
13.251 69
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