參數(shù)資料
型號： IRF6611
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 248K
代理商： IRF6611
IRF6611
www.irf.com
5
Fig 13.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = 40°C
VGS = 0V
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VG
ID = 50μA
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
EA
ID
TOP
8.7A
11A
BOTTOM 22A
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ID
Limited by package
0
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Ta = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
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