參數(shù)資料
型號(hào): IRF6607TR1
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET
中文描述: 功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/11頁
文件大小: 201K
代理商: IRF6607TR1
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
2.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
12V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.2V
2.0V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
12V
10V
4.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.2V
2.0V
TOP
BOTTOM
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
25A
T
J
, Junction Temperature (°C)
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PDF描述
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IRF6608TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF6609TR1 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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