參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6603
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： IRF6603
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
25A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP VGS
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
TOP VGS
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
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IRF6604 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6607 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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