參數資料
型號： IRF6602TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 10/11頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6602TR1
10
www.irf.com
DirectFET
(Medium Size Can, Q-Designation)
Board Footprint,
MQ Outline
DirectFET
(Showing Component Orientation)
Tape and Reel Dimension
METRIC
MAX
N.C
N.C
13.2
N.C
N.C
18.4
14.4
15.4
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MAX
N.C
N.C
0.520
N.C
N.C
0.724
0.567
0.606
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
IMPERIAL
STANDARD OPTION
(QTY 4800)
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6602). For 1000 parts on 7" reel,
order IRF6602TR1
METRIC
MAX
N.C
N.C
12.8
N.C
N.C
13.50
12.01
12.01
IMPERIAL
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
0.47
TR1 OPTION
(QTY 1000)
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
11.9
MAX
N.C
N.C
0.50
N.C
N.C
0.53
N.C
N.C
REEL DIMENSIONS
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PDF描述
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IRF6613 VCXO TCXO VCTCXO
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參數描述
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IRF6603TR1 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6604TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6607 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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