參數(shù)資料
型號： IRF6602
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 200K
代理商： IRF6602
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage Vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
I
D
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VG
ID = 250μA
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