參數(shù)資料
型號： IRF6601
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET⑩ Power MOSFET(Vdss=20V)
中文描述： ⑩的DirectFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： IRF6601
IRF6601
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 14a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 14c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
9.4A
17A
21A
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.00
0.01
0.02
RD
)
ID = 26A
0
60
120
180
240
ID , Drain Current (A)
0.003
0.004
0.005
0.006
RD
)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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