參數(shù)資料
型號： IRF640B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IRF640B
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF640, IRF640S
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
16
A
-
-
64
A
I
F
= 18 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 18 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
1.0
130
0.8
1.5
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF650A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-220AB
IRF654A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB
IRF7102 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO
IRF7107
IRF710A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF640B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640B_FP001_Q 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF640B_FP01F080 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/200V/18A/0.18OHM/SUBSTITU
IRF640FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR
IRF640FP 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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