參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6100PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 628K
代理商： IRF6100PBF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-5.1A
V
=-16V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
10us
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
2000
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
0.0
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF610PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF620PBF HEXFET Power MOSFET
IRF620SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80ヘ , ID=5.2A )
IRF6215LPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
IRF6215SPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ヘ , ID=-13A )
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參數(shù)描述
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