參數(shù)資料
型號： IRF5803D2PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
中文描述： FETKY㈢MOSFET的
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF5803D2PBF
www.irf.com
9
Fig.21
- Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
Fig 20.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Schottky Diode Characteristics
0.01
0.00001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THSINGLE PULSE
Note (4)
Formula used: T
C
= T
J
- (Pd + Pd
REV
) x R
thJA
;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV)
x V
FM
@ (I
F(AV)
/
D) ;
Pd
REV
= Inverse Power Loss = V
R1
x I
R
(1 - D); I
R
@ V
R1
= 80% rated V
R
0
1
2
3
4
5
6
Average Forward Current - I(AV) (A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
A
S
quare wave ( D = 0.50)
80 % Rated VR applied
DC
see note (4)
RthJA = 62.5 °C/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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