參數(shù)資料
型號: IRF5305LPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大?。?/td> 708K
代理商: IRF5305LPBF
8
www.irf.com
DATE CODE
P = DESIGNATES LEAD - FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
A = ASSEMBLY SITE CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
PART NUMBER
F530S
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
PART NUMBER
DATE CODE
LINE L
OR
F530S
ASSEMBLY
LOT CODE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5305SPBF HEXFET Power MOSFET
IRF530SPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRF6100PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF5305PBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5305S 功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF5305SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF5305SLPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRF5305SPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube