參數(shù)資料
型號(hào)： IRF400
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED
中文描述： 50W到500W的大功率線繞電阻扁形鋁殼
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 84K
代理商： IRF400
POWER SOLUTION - NIKKOHM
50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS
FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED
IRN50-IRN150
IRF150-IRF500
Features and Applications
Dimensions (mm)
Type
A
B
C
IRN 50
70+/-1
60+/-0.3
10
IRN100
120+/-1
60+/-0.3
10
IRN150
170+/-1
60+/-0.3
10
IRF100
90+/-1
80+/-0.3
10
IRF150
120+/-1
80+/-0.3
10
IRF200
150+/-1
80+/-0.3
10
IRF250
180+/-1
80+/-0.3
10
IRF300
210+/-1
80+/-0.3
10
IRF400
270+/-1
80+/-0.3
10
IRF500
330+/-1
80+/-0.3
10
D
E
F
-
-
-
-
-
-
-
95
125
155
G dia.
4-5.3 dia.
4-5.3 dia.
4-5.3 dia.
4-5.3 dia.
4-5.3 dia.
4-5.3 dia.
4-5.3 dia.
6-5.3 dia.
6-5.3 dia.
6-5.3 dia.
Weight(g)
100
160
220
155
200
245
290
335
430
525
50+/-0.3
50+/-0.3
50+/-0.3
70+/-0.3
70+/-0.3
70+/-0.3
70+/-0.3
70+/-0.3
70+/-0.3
70+/-0.3
50+/-0.3
100+/-0.3
150+/-0.3
70+/-0.3
100+/-0.3
130+/-0.3
160+/-0.3
190+/-0.3
250+/-0.3
310+/-0.3
Non-inductive, flat shaped aluminum housed wire wound fixed resistors with 50W to 500W..
Minimum resistance of 1ohm, +/-0.5% tolerance available.
10mm thickness allows excellent heat extrusion from resistor.
Narrower body (IRN) will be suitable for high density installation.
Light weight silicone filled insulation and higher temperature operating cement filled
insulation are prepared.
Strong over load characteristics are fit for applications of industrial power electronics,
switching power supplies, braking resistors for motor control electronics, rush current
protection in automotive electronics, industrial power supplies.
D B
G
300+/-10 F F
E C
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF234 8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF235 8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF236 8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF237 8.1A and 6.5A, 275V and 250V, 0.45 and 0.68 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF244 14A and 13A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF4000 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
IRF40N03 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:N-CHANNEL Power MOSFET
IRF4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF4104GPBF 功能描述:MOSFET 40V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF4104HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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