參數(shù)資料
型號: IRF3808
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 75V的,的Rds(on)\u003d 0.007ohm,身份證\u003d律目140A)
文件頁數(shù): 3/9頁
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代理商: IRF3808
IRF3808
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25
°
C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175
J
C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
137A
1.0
3.0
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10.00
100.00
1000.00
ID
(
)
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
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IRF3808LPBF 功能描述:MOSFET N-CH 75V 106A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3808PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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