參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3805
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車(chē)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 361K
代理商： IRF3805
2
www.irf.com
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
55
–––
–––
2.0
75
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.051
–––
2.6
3.3
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
190
290
52
–––
72
–––
150
–––
20
–––
93
–––
87
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7960
1260
630
4400
980
1550
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
75
A
–––
–––
890
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
36
47
1.3
54
71
V
ns
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C, I
S
= 75A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 75A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 75A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 75A
V
DS
= 44V
Conditions
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