參數(shù)資料
型號： IRF3717
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFETPower MOSFET
中文描述： HEXFETPower MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： IRF3717
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
20
–––
–––
–––
1.55
–––
–––
–––
–––
57
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.014
–––
3.7
4.4
4.8
5.7
2.0
2.45
-5.4
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
22
33
6.8
–––
2.2
–––
7.3
–––
5.7
–––
9.5
–––
12
–––
12
–––
14
–––
15
–––
6.0
–––
2890
–––
930
–––
430
–––
V
V/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Diode Characteristics
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Parameter
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
20
I
S
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
160
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
22
13
1.0
32
19
V
ns
nC
Conditions
Max.
32
16
= 1.0MHz
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 16A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
MOSFET symbol
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V, I
D
= 16A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
T
J
= 25°C, I
F
= 16A, V
DD
= 10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 16A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
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PDF描述
IRF3805S-7P AUTOMOTIVE MOSFET
IRF3808PBF HEXFET Power MOSFET
IRF3808 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)
IRF4000 IEEE 802.3af Compliant PoE Switch in Power Sourcing Equipment
IRF4104LPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRF3717TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 20A 4.4mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF3805 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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