參數(shù)資料
型號(hào)： IRF3709S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 90A型）
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大小： 121K
代理商： IRF3709S
IRF3709/3709S/3709L
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 125
°
C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 30A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125
°
C, I
F
= 30A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.82
48
46
48
52
1.3
–––
72
69
72
78
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
382
30
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
90
360
A
Min. Typ. Max. Units
53
–––
–––
27
–––
6.7
–––
9.7
–––
22
–––
11
–––
171
–––
21
–––
9.2
–––
2672
–––
–––
1064
–––
–––
109
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 30A
–––
41 I
D
= 15A
–––
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 16V
V
GS
= 5.0V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 15V
I
D
= 30A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 16V
= 1.0MHz
pF
–––
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.029
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
6.4
7.4
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
10.5
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125
°
C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
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