參數(shù)資料
型號： IRF3704ZCSPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 356K
代理商： IRF3704ZCSPBF
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF3709ZLPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZSPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZL HEXFET Power MOSFET
IRF3709ZS HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF3704ZCSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF3704ZCSTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF3704ZL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN TO-262 - Bulk
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