參數(shù)資料
型號： IRF3000PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： IRF3000PBF
IRF3000PbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
0.9A
1.5A
1.9A
0
2
4
6
8
10
12
14
ID , Drain Current (A)
0.34
0.38
0.42
0.46
0.50
RD
)
VGS = 10V
6
8
10
12
14
16
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
RD
)
ID = 0.96A
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PDF描述
IRF3007LPBF HEXFET Power MOSFET
IRF3007SPBF HEXFET Power MOSFET
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