參數(shù)資料
型號(hào)： IRF2903ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 414K
代理商： IRF2903ZS
2
www.irf.com
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
30
–––
–––
2.0
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.021
–––
1.9
2.4
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
160
240
51
–––
58
–––
24
–––
100
–––
48
–––
37
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 24V
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6320
1980
1100
5930
2010
3050
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
75
A
–––
–––
1020
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
34
29
1.3
51
44
V
ns
nC
V
DS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
I
D
= 75A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V
V
DD
= 15V
I
D
= 75A
R
G
= 3.2
Conditions
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 75A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 75A, V
DD
= 15V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 75A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
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PDF描述
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IRF3007SPBF HEXFET Power MOSFET
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IRF3315LPbF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF2903ZSTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF2903ZSTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF2907S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2907Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
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