參數(shù)資料
型號: IRF2807PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: Advanced Process Technology
中文描述: 先進(jìn)的工藝技術(shù)
文件頁數(shù): 4/8頁
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代理商: IRF2807PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
43A
V
= 15V
DS
V
= 37V
DS
V
= 60V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF2807SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF2807SPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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