參數(shù)資料
型號: IRF1530N
文件頁數(shù): 5/11頁
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代理商: IRF1530N
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
40
80
120
160
200
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
Fig 10.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
240A
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PDF描述
IRF150SMD N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω))
IRF2204L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-262AA
IRF2204S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
IRF2204STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-263AB
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