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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF151CHIP |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 661K |
| 代理商： | IRF151CHIP |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
-75 -50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
EA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1520G | |
| IRF15210 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220FP |
| IRF1530N | |
| IRF150SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)) |
| IRF2204L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 170A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF151R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF152 | 制造商:. 功能描述: |
| IRF1520G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRF15210 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220FP |
| IRF152R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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