參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1503L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 190A I(D) | TO-262AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 190A章一（d）|對(duì)262AA
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
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代理商： IRF1503L
www.irf.com
11
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
12/02
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF151CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP
IRF1520G
IRF15210 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220FP
IRF1530N
IRF150SMD N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1503LPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1503PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1503S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRF1503SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1503STRLPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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