參數(shù)資料
型號: IRF1404ZPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述: 汽車MOSFET的
文件頁數(shù): 3/12頁
文件大?。?/td> 340K
代理商: IRF1404ZPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0
40
80
120
160
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
40
80
120
160
200
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
A
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1404ZSPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZL Advanced Process Technology
IRF1404ZS Advanced Process Technology
IRF1405LPBF AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.3mヘ , ID = 131A )
IRF1405SPBF AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 5.3mヘ , ID = 131A )
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參數(shù)描述
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IRF1404ZSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件