參數(shù)資料
型號： IRF1404Z
英文描述： 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
中文描述： 單40V的N溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： IRF1404Z
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
EA
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
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PDF描述
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IRF151CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP
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