參數(shù)資料
型號： IRF1312PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF1312PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
92
–––
–––
93 140 I
D
= 57A
–––
36
–––
–––
34
–––
–––
25
–––
–––
130
–––
–––
47
–––
–––
51
–––
–––
5450
–––
–––
550
–––
–––
340
–––
–––
1910
–––
–––
380
–––
–––
620
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 57A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 40V
I
D
= 57A
R
G
= 4.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 64V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
250
57
21
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 57A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 57A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
64
150
1.3
96
230
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
95
380
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.078 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.5
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
80
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
6.6
–––
–––
–––
–––
–––
10
5.5
1.0
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 57A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 76V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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IRF1503SPBF HEXFET Power MOSFET
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IRFI730G HEXFET POWER MOSFET
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