參數資料
型號: IRF1310NS
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.036ohm,身份證\u003d 42A條)
文件頁數: 6/10頁
文件大?。?/td> 156K
代理商: IRF1310NS
IRF1310NS/L
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
9.0A
16A
22A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRF1310N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
IRF1310S Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)
IRF1404LPBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZLPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF1310NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF1310NSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 36mOhms 73.3 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1310NSTRL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-263AB
IRF1310NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF1310NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube