參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1302L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 4.0mohm，身份證\u003d 174A章）
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 229K
代理商： IRF1302L
IRF1302S/IRF1302L
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
–––
0.021 –––
–––
3.3
2.0
–––
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
79
–––
18
–––
31
–––
28
–––
130
–––
47
–––
16
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 104A
V
DS
= 10V, I
D
= 250μA
V
DS
= 15V, I
D
= 104A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 104A
V
DS
= 16V
V
GS
= 10V
V
DD
= 11V
I
D
= 104A
R
G
= 4.5
V
GS
= 10V
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 16V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 16V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
m
V
S
4.0
4.0
–––
20
250
200
-200
120
27
46
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3600
2370
520
5710
2370
3540
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 104A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 104A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
66
130
1.3
100
200
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
174
700
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1302S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1302STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1310NL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
IRF1310NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1302PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 20V 180A TO-220
IRF1302S 功能描述:MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1302SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 174A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF1302STRL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1302STRR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*