參數(shù)資料
型號(hào)： IRF1302
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=180A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）\u003d 4.0mohm，身份證\u003d 180A）
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 523K
代理商： IRF1302
IRF1302
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
140
280
420
560
700
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
43A
74A
104A
TOP
BOTTOM
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
VG
ID = 250μA
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