參數(shù)資料
型號: IRF1104PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009ヘ , ID = 100A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 40V的,的RDS(on)\u003d 0.009ヘ,身份證\u003d 100號A)
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 193K
代理商: IRF1104PBF
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
T , Case Temperature (°
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關PDF資料
PDF描述
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IRF1302S Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A)
IRF1302STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1302STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 174A I(D) | TO-263AB
IRF1310NL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
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參數(shù)描述
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