參數(shù)資料
型號： IR2112-1
英文描述： MOSFET Driver
中文描述： MOSFET驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大小： 275K
代理商： IR2112-1
12
IR2110/IR2113
www.irf.com
Figure 28. IR2110/IR2113 T
J
vs. Frequency
(IRFBC20) R
GATE
= 33
, V
CC
= 15V
Figure 29. IR2110/IT2113 T
J
vs. Frequency
(IRFBC30) R
GATE
= 22
, V
CC
= 15V
Figure 27B. Output Sink Current vs. Voltage
Figure 27A. Output Sink Current vs. Temperature
Figure 31. IR2110/IR2113 T
J
vs. Frequency
(IRFPE50) R
GATE
= 10
, V
CC
= 15V
Figure 30. IR2110/IR2113 T
J
vs. Frequency
(IRFBC40) R
GATE
= 15
, V
CC
= 15V
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
10
12
14
16
18
20
V
BIAS
Supply Voltage (V)
O
Min.
Typ.
0
1E+2
25
50
75
100
125
150
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
J
320V
10V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
J
°
C
320V
140V
10V
0
1E+2
25
50
75
100
125
150
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
J
°
C
320V
140V
10V
0
1E+2
25
50
75
100
125
150
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
J
°
C
320V
140V
10V
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
°
C)
O
Min.
Typ.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IR2112-2 High and Low Side Driver. Shutdown Input. High Creepage Package in a 16-pin DIP -2 leads package
IR2113-1 MOSFET Driver
IR2113-2 MOSFET Driver
IR2113E6 IR2113E6
IR2113L6 SINGLE MOSFET DRIVER|CMOS|DIP|14PIN|CERAMIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IR2112-1PBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112-2 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IR2112-2PBF 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127
IR2112PBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IR2112S 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
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