參數(shù)資料
型號(hào)： IPD09N03LBG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 421K
代理商： IPD09N03LBG
IPD09N03lB G IPS09N03LB G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
50
A
T
C
=100 °C
42
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
200
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=50 A,
R
GS
=25
57
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
58
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
30
V
R
DS(on),max
9.1
m
I
D
50
A
Product Summary
Type
IPD09N03LB G
IPS09N03LB G
Package
PG-TO252-3-11
PG-TO251-3-11
Marking
09N03LB
09N03LB
Rev. 1.5
page 1
2006-05-15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD10N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF10N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD127N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD12N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF12N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPD09N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD100N04S4-02 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD100N04S402ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
IPD100N06S4-03 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD100N06S403ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
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