| 型號: | IPB60R165CP |
| 廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述: | CoolMOS Power Transistor |
| 中文描述: | 的CoolMOS功率晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 345K |
| 代理商: | IPB60R165CP |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB60R199CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPB77N06S3-09 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD78CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2-04 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPB60R165CPATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
| IPB60R165CPXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
| IPB60R190C6 | 功能描述:MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB60R190C6ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263 |
| IPB60R199CP | 功能描述:MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |