IDT72V3640/50/60/70/80/90 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM
參數(shù)資料
型號: IDT72V3670L6PF
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù): 21/46頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FIFO SS 8192X36 6NS 128-TQFP
標準包裝: 8
系列: 72V
功能: 異步,同步
存儲容量: 288K(8K x 36)
數(shù)據(jù)速率: 166MHz
訪問時間: 4ns
電源電壓: 3.15 V ~ 3.45 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 128-LQFP
供應商設備封裝: 128-TQFP(14x20)
包裝: 托盤
其它名稱: 72V3670L6PF
28
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
IDT72V3640/50/60/70/80/90 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM 36-BIT FIFO
1,024 x 36, 2,048 x 36, 4,096 x 36, 8,192 x 36, 16,384 x 36 and 32,768 x 36
OCTOBER 22, 2008
Figure
9.
Write
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
tSKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
OR
will
go
LOW
after
two
RCLK
cycles
plus
t
REF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
tSKEW1
,then
OR
assertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
WCLK
edge
and
a
rising
RCLK
edge
to
guarantee
that
PAE
will
go
HIGH
after
one
RCLK
cycle
plus
t
PAES
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
WCLK
and
the
rising
edge
of
RCLK
is
less
than
tSKEW2
,then
the
PAE
deassertion
may
be
delayed
one
extra
RCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH,
OE
=
LOW
4.
n=
PAE
offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5.
D
=
1,025
for
IDT72V3640,
2,049
for
IDT72V3650,
4,097
for
IDT72V3660,
8,193
for
IDT72V3670,
16,385
for
the
IDT72V3680
and
32,769
for
the
IDT72V3690.
6
.
First
data
word
latency
=
t
SKEW1
+
2*T
RCLK
+
t
REF.
W
1
W
2
W
4
W
[n
+2]
W
[D-m-1]
W
[D-m-2]
W
[D-1]
W
D
W
[n+3]
W
[n+4]
W
[D-m]
W
[D-m+1]
WCLK
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tDH
tDS
tSKEW1
(1)
REN
Q
0
-
Q
17
PAF
HF
PAE
IR
tDS
tSKEW2
tA
tREF
OR
tPAES
tHF
tPAFS
tWFF
W
[D-m+2]
W
1
tENH
4667
drw14
DATA
IN
OUTPUT
REGISTER
(2)
W
3
1
2
3
1
D-1
2
+1
]
[
W
D-1
+2
]
[
W
2
D-1
+3
]
[
W
2
1
2
tENS
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