IDT72V263/273/283/293/103/113 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM NARROW BUS FIFO
參數(shù)資料
型號： IDT72V2113L7-5BC
廠商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù)： 21/46頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FIFO SUPERSYNCII 7-5NS 100BGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： 72V
功能： 同步
存儲容量： 4.7Mb（262k x 18）
訪問時間： 5ns
電源電壓： 3.15 V ~ 3.45 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 100-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-CABGA（11x11）
包裝： 托盤
其它名稱： 72V2113L7-5BC
800-2333
IDT72V2113L7-5BC-ND
28
IDT72V263/273/283/293/103/113 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM NARROW BUS FIFO
8K x 18, 16K x 9/18, 32K x 9/18, 64K x 9/18, 128K x 9/18, 256K x 9/18, 512K x9
COMMERCIAL AND INDUSTRIAL
TEMPERATURE RANGES
IDT72V2103/72V2113 3.3V HIGH DENSITY SUPERSYNC IITM NARROW BUS FIFO
131,072 x 18/262,144 x 9, 262,144 x 18/524,288 x 9
JUNE 1, 2010
Figure
10.
Read
Timing
(First
Word
Fall
Through
Mode)
NOTES:
1.
t
SKEW1
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
IR
will
go
LOW
after
one
WCLK
cycle
plus
t
WFF
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
tSKEW1
,then
the
IR
assertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
2.
tSKEW2
is
the
minimum
time
between
a
rising
RCLK
edge
and
a
rising
WCLK
edge
to
guarantee
that
PAF
will
go
HIGH
after
one
WCLK
cycle
plus
t
PAFS
.If
the
time
between
the
rising
edge
of
RCLK
and
the
rising
edge
of
WCLK
is
less
than
tSKEW2
,then
the
PAF
deassertion
may
be
delayed
one
extra
WCLK
cycle.
3.
LD
=
HIGH
4.
n=
PAE
Offset,
m
=
PAF
offset
and
D
=
maximum
FIFO
depth.
5
.
Ifx18
Input
or
x18
Output
bus
Width
is
selected,
D
=
131,073
for
the
IDT72V2103
and
262,145
for
the
IDT72V2113.
Ifboth
x9
Input
and
x9
Output
bus
Widths
are
selected,
D
=
262,145
for
the
IDT72V2103
and
524,289
for
the
IDT72V2113.
WCLK
12
WEN
D
0
-
D
17
RCLK
tENS
REN
Q
0
-Q
17
PAF
HF
PAE
IR
OR
W
1
W
1
W
2
W
3
W
m+2
W
[m+3]
tOHZ
tSKEW1
tENH
tDS
tDH
tOE
tA
tPAFS
tWFF
tENS
OE
tSKEW2
W
D
6119
drw13
tPAES
W
[D-n]
W
[D-n-1]
tA
tHF
tREF
W
[D-1]
W
D
tA
W
[D-n+1]
W
[m+4]
W
[D-n+2]
(1)
(2)
tENS
D-1
]
[
W
D-1
]
[
W
12
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PDF描述
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