IDT723652/723662/723672 CMOS SyncBiFIFOTM 2,048 x 36 x 2, 4,096 x 36 x 2 a" />
參數(shù)資料
型號: IDT723672L12PQF
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù): 27/29頁
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描述: IC FIFO SYNC 16384X36 132QFP
標準包裝: 36
系列: 7200
功能: 同步
存儲容量: 576K(16K x 36)
數(shù)據(jù)速率: 83MHz
訪問時間: 12ns
電源電壓: 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 132-BQFP 緩沖式
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 132-PQFP(24.13x24.13)
包裝: 托盤
其它名稱: 723672L12PQF
7
COMMERCIALTEMPERATURERANGE
IDT723652/723662/723672 CMOS SyncBiFIFOTM
2,048 x 36 x 2, 4,096 x 36 x 2 and 8,192 x 36 x 2
Figure 1. Typical Characteristics: Supply Current (ICC) vs. Clock Frequency (fS)
0
10
20
3040
5060
70
0
50
100
150
200
250
300
VCC = 5.0V
fS
Clock Frequency MHz
ICC(f)
Supply
Current
mA
fdata = 1/2 fS
TA = 25oC
CL = 0 pF
VCC = 4.5V
VCC = 5.5V
5609 drw03a
80
90
Calculating Power Dissipation
The ICC(f) current for the graph in Figure 1 was taken while simultaneously reading and writing a FIFO on the IDT723652/723662/723672 with
CLKA and CLKB set to fS. All data inputs and data outputs change state during each clock cycle to consume the highest supply current. Data outputs were
disconnected to normalize the graph to a zero capacitance load. Once the capacitance load per data-output channel and the number of these device's
inputs driven by TTL HIGH levels are known, the power dissipation can be calculated with the equation below.
With ICC(f) taken from Figure 1, the maximum power dissipation (PT) of these FIFOs may be calculated by:
PT = VCC x [ICC(f) + (N x ICC x dc)] +
Σ(CL x VCC2 X fo)
where:
N
=
number of inputs driven by TTL levels
ICC = increase in power supply current for each input at a TTL HIGH level
dc
=
duty cycle of inputs at a TTL HIGH level of 3.4 V
CL
=
outputcapacitanceload
fo
=
switching frequency of an output
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